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膜厚監(jiān)測和控制儀使用成熟的 INFICON 石英晶體傳感器技術(shù)在薄膜沉積過程中測量速率和厚度。兩個傳感器輸入為標(biāo)準(zhǔn)輸入，另外四個傳感器輸入為可選輸入。兩個錄像機(jī)輸出可提供模擬速率和厚度信號。

SH-600 旋轉(zhuǎn)式傳感器頭設(shè)計(jì)用于要求苛刻的工藝，采用非常厚的薄膜和幾種不同的材料。RSH-600 將六顆晶體固定在熱屏蔽、水冷卻的殼體中，確保在溫度高達(dá) 300°C 的應(yīng)用環(huán)境下獲得晶體性能。晶體固定在一個易于拆卸的 Teflon® 和不銹鋼晶體支架中。

INFICON ALD 傳感器將石英晶體微天平（QCM）測量的可重復(fù)性、精確性和耐用性帶入原子層沉積 （ALD）。ALD 傳感器可承受高達(dá) 450ºC 的高溫，設(shè)計(jì)在嚴(yán)苛的 ALD 應(yīng)用環(huán)境中運(yùn)行。裸露的晶體電極*接地以有效地消除與電干擾有關(guān)的任何潛在問題。

INFICON Crystal 12 傳感器與INFICON IC6 薄膜沉積控制器結(jié)合使用時，可自動更換其晶體，而無需中斷過程。晶體不穩(wěn)定或失效時，IC6 會立即向 Crystal 12 傳感器旋轉(zhuǎn)傳送帶發(fā)送信號，要求其立即將新晶體旋轉(zhuǎn)到位，從而實(shí)現(xiàn)持續(xù)沉積速率監(jiān)控。

INFICON UHV 可烘烤晶體傳感器擁有經(jīng)實(shí)踐檢驗(yàn)的可靠性和耐用性，提供超越當(dāng)前市場上的任何傳感器頭的熱穩(wěn)定性?？珊婵緜鞲衅饔?304 號不銹鋼、鉬、鉻鎳鐵合金、鎳和氧化鋁材料制成，設(shè)計(jì)為可承受連續(xù)烘烤溫度高達(dá) 450° C（僅適用于烘烤，實(shí)際沉積監(jiān)控需要水流）。前裝式設(shè)計(jì)允許在側(cè)面插入空間不足的應(yīng)用中輕松插入晶體支架。

經(jīng)濟(jì)型雙傳感器為一個晶體可能不夠的 QCM 應(yīng)用提供簡單并且廉價(jià)的解決方案。閘門將覆蓋第二個晶體，直到需要該晶體完成過程。經(jīng)濟(jì)型雙傳感器使用兩條真空電纜以便于在現(xiàn)場更換。 經(jīng)濟(jì)型雙傳感器的緊湊設(shè)計(jì)僅需要 32.5 毫米（1.3 英寸）的間隙，傳感器和快門組件即可穿過標(biāo)準(zhǔn) CF40 管嘴。